表面欠陥検査装置ハイブリット型表面欠陥検査装置 K-HB-G100

「高速検査」「微小欠陥検出能力」の面で優れるレーザー式検査装置と「顕微鏡画像取得」「欠陥サイズ判定」などの欠陥分析の面で優れる画像式検査装置との両方を併せ持つ、ハイブリット型の表面欠陥検査装置です。
レーザー式、画像式の両方の検査部を組み込んでおり、複合機能による検査・観察が可能であり、それぞれ単体の検査装置として使用することも可能です。

概要
詳細・オプション
主仕様表

■レーザー式と画像式の比較（当社製品）

項目	レーザー式		画像式
感度	〇	0.08um以下	△	レンズ 5倍:0.6um レンズ10倍:0.3um
速度	〇	高速に全面検査 6inchで検査約23分（レンズ倍率5倍）	△	全面検査可能だが低速 6inchで検査約23分（レンズ倍率5倍）
欠陥種	〇	キズ、スクラッチ、パーティクルピット、内部欠陥、薄膜欠陥	△	強めのキズ、スクラッチ、パーティクルピット、内部欠陥
表面粗さ	〇	反射チャンネルで数値化	△	フォーカスや輝度値曲線から数値化
表裏弁別	×	裏面の強い欠陥に反応	〇	焦点深度浅く、表面欠陥を特定
サイズ	△	レーザー径の影響もあり不正確	〇	明視野観察で正確
リアルタイム	×	不可能	〇	高倍率レビューで観察、分析可能

■欠陥MAP

種類毎に色分け表示

K-HB-G100 欠陥MAP

■欠陥種別グラフ

種類ごとに個数表示

K-HB-G100 欠陥種別グラフ

■欠陥リスト

欠陥座標、サイズ表示
（CSVファイル出力対応）

K-HB-G100 欠陥リスト

■ 欠陥サイズ分類（レーザー式）

信号（散乱、反射、位相シフト）強度、欠陥サイズによるランク分け
（最大10ランク）

■ 輝度画像表示（レーザー式）

K-HB-G100 輝度画像表示（レーザ式）

■ 欠陥画像表示（画像式）

K-HB-G100 欠陥画像表示（画像式）

複合機能使用例（リアルタイム観察）

レーザー式で検出した欠陥をレーザー式のビューア画面から顕微鏡画像をリアルタイム観察できます。

K-HB-G100 複合機能使用例（リアルタイム観察）

複合機能使用例（アルバム機能）

レーザー式で検出し、条件設定した欠陥の顕微鏡画像をアルバム状に保存できます。

K-HB-G100 複合機能使用例（アルバム機能）

上段　欠陥No、種別
下段　Abs_X:X座標、Abs_Y:Y座標、Pix:欠陥Pixサイズ

【オプション】

ケガキ機能（レーザー式）

検出した欠陥近傍にケガキを入れます。（スタンプ方式も可）
欠陥からの距離、ケガキ線の長さを調整できます。

K-HB-G100 OPTION ケガキ機能（レーザー式）

*レーザ式検出CHや画像式対物レンズ倍率等、ご要望に応じて標準仕様外のオプションもフレキシブルに対応検討いたします。

レーザー式検査部

検出	方式	レーザー散乱方式および正反射方式
検出	欠陥	パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど
対象基板	種類	Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
対象基板	サイズ	4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます
検査時間/面	走査時間	約91秒（6inch、10umピッチ）
レーザー	波長	405nm
レーザー	検査ピッチ	5~30um
スピンドル	チャック方式	裏面全面真空吸着裏面外周真空吸着
スピンドル	回転数	5,000RPM

画像式検査部

検出	方式	微分干渉顕微鏡を用いた画像解析方式
検出	欠陥	凹欠陥、凸欠陥、パーティクル、スクラッチなど
対象基板	種類	Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
対象基板	サイズ	4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます
光学系仕様	検出器	微分干渉顕微鏡+CMOSカメラ
	対物レンズ	5倍、10倍
	光源	高輝度LED照明
検査時間/面	検査時間	6分以下/6inch　(搬送時間を含まない画像取得時間)

設置準備

項目内容

電源単相200V　30A
単相100V　30A

エア供給圧力 0.65　±　0.05MPa
流量 150NI/min以上
配管接続口 Φ10㎜

項目	内容
電源	単相200V　30A 単相100V　30A
エア	供給圧力 0.65　±　0.05MPa 流量 150NI/min以上配管接続口 Φ10㎜

消耗部品

項目	内容　(標準交換時間)
青紫レーザー	レーザー式用　(1万時間)
照明	画像式用　（4万時間）

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特長