計測システムレーザー式ウェハ表面欠陥検査装置 Laser Explorer
半導体基板表面に高出力レーザーを照射することで、スクラッチ、ピットなどの微細な表面欠陥を検出し、欠陥種類ごとに分類、結果表示します。
1カセット(25枚)を約40分（4インチ 10umピッチ）で検査します。
- 概要
- 詳細・オプション
- 主仕様表
■ 欠陥MAP
・種類毎に色分け表示
■ 欠陥種別グラフ
・種類ごとに個数表示
■ 欠陥リスト
・欠陥座標、サイズ表示（CSVファイル出力対応）
■ 欠陥サイズ分類
・信号（散乱、反射、位相シフト）強度、欠陥サイズによるランク分け（最大10ランク）
■ 欠陥抽出例 （GaN-ONサファイア基板）
顧客が抽出したい欠陥をヒヤリングして、抽出ソフトをカスタマイズした事例
スクラッチ
欠陥MAP
輝度画像
ヒラック
欠陥MAP
輝度画像
ドロップレット
欠陥MAP
輝度画像
| 検出 |
方式 |
散乱、反射、位相シフト |
|---|---|---|
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欠陥 |
パーティクル、スクラッチ、ピット、ヒラック、ドロップレットなど |
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| 対象基板 |
種類 |
サファイア、GaN on サファイア、GaN on Si、LT、など |
| サイズ |
2″、4″ 、6″、別途相談に応じます |
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| 検査時間／面 |
走査時間 |
約63秒（4″、10umピッチ） |
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演算時間 |
約27秒（同上） |
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| レーザー |
波長/数 |
405nm/3本 |
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検査ピッチ |
5～30um |
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| スピンドル |
チャック方式 |
裏面全面真空吸着 |
| 回転数 | 5,000RPM | |
| 外形 |
1360(W)×950(D) ×2000(H) |
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