計測システムレーザー式ウェハ表面欠陥検査装置 Laser Explorer

半導体基板表面に高出力レーザーを照射することで、スクラッチ、ピットなどの微細な表面欠陥を検出し、欠陥種類ごとに分類、結果表示します。
1カセット(25枚)を約40分(4インチ 10umピッチ)で検査します。

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特長

  1. 高出力レーザーによる微小欠陥の検出
  2. 欠陥の凹凸を弁別
  3. 0.1、0.2、0.3um のPSL欠陥弁別が可能
    (SiC 透明ウェハ)
  4. 全数オートフォーカス+たわみ追従機能
  5. 優れたコストパフォーマンス
  6. カスタマイズ対応(ソフト仕様、カセット数など)
  7. カセット to カセット自動検査対応

  • 概要
  • 詳細・オプション
  • 主仕様表

■ 欠陥MAP

・種類毎に色分け表示
欠陥MAP

 

■ 欠陥種別グラフ

・種類ごとに個数表示

 

■ 欠陥リスト

・欠陥座標、サイズ表示(CSVファイル出力対応)

欠陥リスト

 

■ 欠陥サイズ分類

・信号(散乱、反射、位相シフト)強度、欠陥サイズによるランク分け(最大10ランク)

欠陥サイズ分類

■ 欠陥抽出例 (GaN-ONサファイア基板)

顧客が抽出したい欠陥をヒヤリングして、抽出ソフトをカスタマイズした事例

 

スクラッチ

スクラッチ欠陥MAP

欠陥MAP

輝度画像

 

ヒラック

ヒラック欠陥MAP

欠陥MAP

ヒラック輝度画像

輝度画像

ドロップレット

ドロップレット欠陥MAP

欠陥MAP

ドロップレット輝度画像

輝度画像

検出 方式 レーザー散乱方式および正反射方式
欠陥 パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど
対象基板  種類 Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
サイズ 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます
検査時間/面  走査時間 約91秒(6inch、10umピッチ)
レーザー  波長 405nm
検査ピッチ 5~30um
スピンドル  チャック方式 裏面全面真空吸着
裏面外周真空吸着
回転数 5,000RPM