計測システムレーザー式ウェハ表面欠陥検査装置 Laser Explorer
半導体基板表面に高出力レーザーを照射することで、スクラッチ、ピットなどの微細な表面欠陥を検出し、欠陥種類ごとに分類、結果表示します。
1カセット(25枚)を約40分(4インチ 10umピッチ)で検査します。
- 概要
- 詳細・オプション
- 主仕様表
■ 欠陥MAP
・種類毎に色分け表示
■ 欠陥種別グラフ
・種類ごとに個数表示
■ 欠陥リスト
・欠陥座標、サイズ表示(CSVファイル出力対応)
■ 欠陥サイズ分類
・信号(散乱、反射、位相シフト)強度、欠陥サイズによるランク分け(最大10ランク)
■ 欠陥抽出例 (GaN-ONサファイア基板)
顧客が抽出したい欠陥をヒヤリングして、抽出ソフトをカスタマイズした事例
スクラッチ
ヒラック
ドロップレット
検出 | 方式 | レーザー散乱方式および正反射方式 |
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欠陥 | パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど | |
対象基板 | 種類 | Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど |
サイズ | 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます | |
検査時間/面 | 走査時間 | 約91秒(6inch、10umピッチ) |
レーザー | 波長 | 405nm |
検査ピッチ | 5~30um | |
スピンドル | チャック方式 | 裏面全面真空吸着 裏面外周真空吸着 |
回転数 | 5,000RPM |