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「半導体/HD検査装置」一覧
特徴・機能
「高速検査」「微小欠陥検出能力」の面で優れるレーザー式検査装置と「顕微鏡画像取得」「欠陥サイズ判定」などの欠陥分析の面で優れる顕微鏡式検査装置との両方を併せ持つ、ハイブリット型の表面欠陥検査装置です。
レーザー式、顕微鏡式の両方の検査部を組み込んでおり、複合機能による検査・観察が可能であり、それぞれ単体の検査装置として使用することも可能です。
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欠陥MAP
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種類毎に色分け表示
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欠陥種別グラフ
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種類ごとに個数表示
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欠陥リスト
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欠陥座標、サイズ表示（CSVファイル出力対応）
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欠陥サイズ分類（レーザー式）
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信号（散乱、反射、位相シフト）強度、欠陥サイズによるランク分け
（最大10ランク） -
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輝度画像表示（レーザー式）
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欠陥画像表示（顕微鏡式）
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複合機能使用例（アルバム機能）
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レーザー式で検出した欠陥をレーザー式のビューア画面から顕微鏡画像をリアルタイム観察できます。
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複合機能使用例（アルバム機能）
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レーザー式で検出し、条件設定した欠陥の顕微鏡画像をアルバム状に保存できます。
※上段：欠陥No、種別
※下段：Abs_X:X座標、Abs_Y:Y座標、Pix:欠陥Pixサイズ -
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レーザー式と顕微鏡式の比較（当社製品）
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クボタの半導体検査装置
オプション
ケガキ機能（レーザー式）
検出した欠陥近傍にケガキを入れます。（スタンプ方式も可）欠陥からの距離、ケガキ線の長さを調整できます。
※レーザ式検出CHや顕微鏡式対物レンズ倍率等、ご要望に応じて標準仕様外のオプションもフレキシブルに対応検討いたします。
主仕様表
レーザー式検査部
| 検出 | 方式 | レーザー散乱方式および正反射方式 |
| 欠陥 | パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど | |
| 対象基板 | 種類 | Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど |
| サイズ | 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます | |
| 検査時間/面 | 走査時間 | 約91秒（6inch、10umピッチ） |
| レーザー | 波長 | 405nm |
| 検査ピッチ | 5~30um | |
| スピンドル | チャック方式 | 裏面全面真空吸着 裏面外周真空吸着 |
| 回転数 | 5,000RPM |
顕微鏡式検査部
| 検出 | 方式 | 微分干渉顕微鏡を用いた画像解析方式 |
| 欠陥 | 凹欠陥、凸欠陥、パーティクル、スクラッチなど | |
| 対象基板 | 種類 | Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど |
| サイズ | 4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます | |
| 光学系仕様 | 検出器 | 微分干渉顕微鏡+CMOSカメラ |
| 対物レンズ | 5倍、10倍 | |
| 光源 | 高輝度LED照明 | |
| 検査時間/面 | 検査時間 | 6分以下/6inch (搬送時間を含まない画像取得時間) |
設置準備
| 項目 | 内容 |
| 電源 | 単相200V 30A 単相100V 30A |
| エア | 供給圧力 0.65 ± 0.05MPa 流量 150NI/min以上 配管接続口 Φ10㎜ |
消耗部品
| 項目 | 内容（標準交換時間） |
| 青紫レーザー | レーザー式用（1万時間） |
| 照明 | 顕微鏡式用（4万時間） |
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