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トップ 製品情報 半導体/HD検査装置 Laser Explorer(半導体)
レーザー式ウェハ表面欠陥検査装置

Laser Explorer(半導体)

高出力レーザーによる微小欠陥の検出
欠陥の凹凸を弁別
0.1、0.2、0.3um のPSL欠陥弁別が可能(SiC 透明ウェハ)
全数オートフォーカス+たわみ追従機能
優れたコストパフォーマンス
カスタマイズ対応(ソフト仕様、カセット数など)
カセット to カセット自動検査対応

特徴・機能

半導体基板表面に高出力レーザーを照射することで、スクラッチ、ピットなどの微細な表面欠陥を検出し、欠陥種類ごとに分類、結果表示します。1カセット(25枚)を約40分(4インチ 10umピッチ)で検査します。

欠陥MAP

種類毎に色分け表示

欠陥MAP

欠陥種別グラフ

種類ごとに個数表示

欠陥種別グラフ

欠陥リスト

欠陥座標、サイズ表示(CSVファイル出力対応)

欠陥リスト

欠陥サイズ分類

信号(散乱、反射、位相シフト)強度、欠陥サイズによるランク分け(最大10ランク)

欠陥サイズ分類

クボタの半導体検査装置

欠陥抽出例(GaN-ONサファイア基板)

顧客が抽出したい欠陥をヒヤリングして、抽出ソフトをカスタマイズした事例

スクラッチ

ヒラック

ドロップレット

主仕様表

検出方式レーザー散乱方式および正反射方式
欠陥パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプなど
対象基板種類Si、SiC、LT、LN、サファイア、SiC/Siなど
サイズ4inch 、6inch、8inch、別途相談に応じます
検査時間/面走査時間約91秒(6inch、10umピッチ)
レーザー波長405nm
検査ピッチ5~30um
スピンドルチャック方式裏面全面真空吸着
裏面外周真空吸着
回転数5,000RPM

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